EU da 406 mdd a GlobalWafers para producción de obleas de silicio
Los fondos para proyectos en Texas y Missouri establecerán la primera producción de alto volumen en Estados Unidos de obleas de silicio de 300 mm para semiconductores avanzados.
El gobierno de Estados Unidos otorgó 406 millones de dólares (mdd) en subvenciones a GlobalWafers, de Taiwán, para aumentar significativamente la producción de obleas de silicio en el país norteamericano.
Los fondos para proyectos en Texas y Missouri establecerán la primera producción de alto volumen en Estados Unidos de obleas de 300 mm para semiconductores avanzados y ampliarán la producción de obleas de silicio sobre aislante.
GlobalWafers construirá nuevas fábricas de obleas y creará 1,700 empleos de construcción y 880 de fabricación. La instalación de GWA en Texas será la primera instalación avanzada de obleas de silicio de 300 mm de alto volumen en EU; se utilizarán en la manufactura de dispositivos de memoria y de última generación.
La instalación de MEMC en Missouri, subsidiaria de la firma taiwanesa, servirá como un sitio clave de producción nacional para obleas de silicio sobre aislante (SOI); serán un insumo clave para los dispositivos utilizados en los sectores aeroespacial y de defensa.
Fortalecer la industria nacional
Estos incentivos forman parte de la administración de Joe Biden para impulsar la cadena de suministro nacional de chips con la Ley CHIPS for America, que ha otorgado más de 25,000 mdd de los más de 36,000 en financiación propuestos. Se espera que estos anuncios en 21 estados creen más de 125,000 puestos de trabajo.
Desde el comienzo de la administración Biden-Harris, las empresas de semiconductores y electrónica han anunciado más de 450,000 mdd en inversiones privadas, catalizadas en gran parte por la inversión pública, mencionó el Departadmento de Comercio del país en un comunicado.
