La industria de los semiconductores se encamina a introducir un billón de transistores en un chip para 2030, apoyándose en un nuevo material: el rutenio sustractivo (Ru), destinado a mejorar el rendimiento y las interconexiones de estos circuitos. 

El Ru es un nuevo material de metalización alternativo clave que utiliza resistividad de película fina con entrehierros para ofrecer un avance significativo en el escalado de las interconexiones, según Intel Foundry, la división de fundición de la firma.

Al implementar este conjunto de materiales, se ha reducido hasta 25% la capacitación de línea a línea en pasos inferiores o iguales a 25 nanómetros (nm), de acuerdo con una publicación de eleconomista.es.

Por otro lado, la división ha demostrado la transferencia selectiva de capas (SLT), una solución de integración que permite el ensamblaje de chips ultrafinos con una flexibilidad mayor para permitir tamaños de chip más pequeños y relaciones de aspecto más elevadas, en comparación con la unión tradicional de chip y oblea.

Gracias a esto, admite una mayor densidad funcional, lo que da lugar a una solución más flexible y rentable para la unión híbrida o por fusión de chiplets específicos de una oblea a otra.